收藏本站
型号 SPB04N50C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
SPB04N50C3 PDF
代理商 SPB04N50C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 560V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 950 毫欧 @ 2.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 470pF @ 25V
功率 - 最大 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000014477
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3XT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPB04N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
SPB04N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
SPB04N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
SPB04N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
SPB04N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
SPB04N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
SPB07N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
SPB07N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
SPB07N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
SPB07N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
SPB08P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPB08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
SPB08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
SPB08P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
SPB1 Hammond Manufacturing PANEL SWING KIT
SPB10045E3 Microsemi Power Products Group DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT-227
SPB100N03S2-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK